| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：P－型半导体衬底(15)；在P－型半导体衬底(15)上形成的N型半导体区(21)；在N型半导体区(21)的表面区域形成、且与接地电极(1)电连接的上侧P型半导体区(13)；在上侧P型半导体区(13)之下形成的下侧P型半导体区(14)；与漏电极(2)电连接的第1N<SUP>+</SUP>型半导体区(22)；起沟道形成区作用的P型半导体区(19)；与背栅电极(5)电连接的P<SUP>+</SUP>型半导体区(12)；与源电极(4)电连接的第2 N<SUP>+</SUP>型半导体区(23)；以及P型半导体区(19)上的栅电极(3)和栅绝缘膜(31)；下侧P型半导体区(14)延伸到第1N<SUP>+</SUP>型半导体区(22)侧。 | ||
| 申请公布号 | CN1820374A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200580000611.5 | 申请日期 | 2005.02.25 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 岩渊昭夫;相泽和也 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第1导电类型的第1半导体区(15)；在所述第1半导体区(15)上形成的第2导电类型的第2半导体区(21)；在所述第2半导体区(21)的表面区域，沿该第2半导体区(21)的外周形成，并且杂质浓度比所述第1半导体区(15)还高的第1导电类型的第3半导体区(13)；与所述第3半导体区(13)的下表面邻接形成，并且杂质浓度比所述第1半导体区(15)还高的第1导电类型的第4半导体区(14)；在所述第2半导体区(21)的表面区域形成的第1导电类型的第5半导体区(19)；在所述第5半导体区(19)的表面区域形成的第2导电类型的第6半导体区(23)；与所述第2半导体区(21)电连接的第1电极(2)；与所述第6半导体区(23)电连接的第2电极(4)；以及在所述第5半导体区(19)上隔着绝缘膜(31)配置的控制电极(3)；所述第4半导体区(14)形成在所述第1半导体区(15)和所述第2半导体区(21)内，形成为比所述第3半导体区(13)更加延伸到所述第5半导体区(19)侧。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||