| 发明名称 | 半导体装置的制造方法以及电连接部的处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够提高外部端子的可靠性的半导体装置的制造方法以及电连接部的处理方法。半导体装置的制造方法包括：(a)在与半导体基板(20)电导通的电连接部(14)上，设置含酸的料浆(54)；(b)通过清洗电连接部(14)，从电连接部(14)上去除料浆(54)；以及，(c)在电连接部(14)上设置导电材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1819133A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200610006143.9 | 申请日期 | 2006.01.19 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 中山浩久;佐藤史郎;庄司正宣;野坂仁志 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/3213(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：(a)在与半导体基板电导通的电连接部上，设置含酸的料浆；(b)通过清洗上述电连接部，从上述电连接部上去除上述料浆；以及，(c)在上述电连接部上，设置导电材料。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||