发明名称 |
半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体制造装置和计算机记录介质 |
摘要 |
本发明的目的在于提供不增大膜厚,而能抑制电容器电容下降的半导体制造装置。在具有电容器的半导体装置中,电容器具有下部电极、上部电极、以及夹在下部电极与上部电极之间的绝缘膜。下部电极的绝缘层侧的表面被氮化。在下部电极是多晶硅的情况下,通过表面氮化,提高后继工序中热处理时的耐氧化性。特别是在DRAM中,由于电容器的电容增大,所以其效果变大。另外还减少了电容器内部的泄漏电流。 |
申请公布号 |
CN1820370A |
申请公布日期 |
2006.08.16 |
申请号 |
CN200480019716.0 |
申请日期 |
2004.09.22 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
佐佐木胜 |
分类号 |
H01L27/108(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/822(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/108(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
1、一种半导体装置,具有电容器,其特征在于:所述电容器具有下部电极、上部电极、以及夹在所述下部电极和所述上部电极之间的绝缘膜,所述下部电极的绝缘层侧的表面被氮化。 |
地址 |
日本东京 |