| 发明名称 | 磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种用于STI CMP(浅槽隔离化学机械抛光)制程的抛光浆料，其为制造256M(mega)D－RAM或更大的超高集成半导体(设计标准为小于或等于0.13μm)所必需，该抛光浆料可以较高移除速率对晶圆进行抛光，与氮化物相比而言，该抛光浆料具有优异的氧化物移除选择性。该抛光浆料可应用于制造超高集成半导体制程中所需的各种图案，因此可确保优异的移除速率、移除选择性和晶圆内不均匀性(within－wafer－nonuniformity，WIWNU)，其表明移除均匀性，并且可将微划痕的发生最小化。 | ||
| 申请公布号 | CN1818002A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200510134775.9 | 申请日期 | 2005.12.16 |
| 申请人 | K.C.科技股份有限公司;汉阳大学校产学协力团 | 发明人 | 金大亨;洪锡敏;金容国;金东炫;徐明源;朴在勤;白云揆 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01);C09C1/68(2006.01);C09C3/00(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09K3/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种抛光浆料，其特征在于包含：磨料颗粒，其中所述磨料颗粒的尺寸介于10与350μm之间，而所述磨料颗粒的尺寸小于1％的总体分布前驱体材料的磨料颗粒的尺寸。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||