可重复使用的晶圆控片及其形成方法

摘要

本发明揭示了一种半导体制程的晶圆控片的形成方法。在本发明的一实施例中，首先提供一晶圆底材。然后，形成一氧化层于晶圆底材上。接着，形成一非晶硅层于氧化层上。之后，进行一离子植入制程以掺杂非晶硅层与氧化层。其次，进行一回火制程以形成一晶圆控片。在回火制程后，可进行一量测程序以测定方块电阻值(Rs)，并进行日程监控。另一方面，当日程监控完成后，湿法控片晶圆底材上的非晶硅层与氧化层，晶圆控片可以重复使用，降低日程监控成本。

主权项

1.一种离子植入制程的晶圆控片的重复使用方法，该离子植入制程的晶圆控片的重复使用方法包含下列步骤：提供一硅底材；形成一氧化层于该硅底材上；形成一非晶硅层于该氧化层上；进行一离子植入制程以掺杂该非晶硅层；进行一回火制程以形成一晶圆控片；利用该晶圆控片进行一测量程序以测定该晶圆控片的方块电阻值，并进行日程监控；与进行一移除制程以去除该硅底材上的该非晶硅层与该氧化层。