LED倒装芯片的制作方法

摘要

本发明涉及一种高出光效率结构LED倒装芯片的制作方法，属于半导体发光二极光LED材料和器件工艺技术领域。通过在蓝宝石衬底上利用微粒子的自组装排列和激光照射方法制备高分子材料微米或亚微米级微凸透镜阵列层，并通过使用ICP(耦合离子刻蚀)或RIE(反应离子刻蚀)设备，利用氯离子及氩离子对高分子材料微凸透镜阵列进行干法刻蚀，将蓝宝石基片上的高分子材料微凸透镜阵列转移到蓝宝石基片表面上，从而在蓝宝石基片上制备出微米或亚微米级微凸透镜，以十分有效地提高发光二极管LED倒装芯片的出光效率和改善LED元件的质量和器件的性能。

主权项

1.一种LED倒装芯片的制作方法，其特征在于包括以下步骤：第一步：将P-N电极的外延片分割成500μm×500μm～1000μm×1000μm的器件，将反射层的硅衬底分割成(900μm-1400μm)～(700μm-1200μm)的器件，然后将两者进行倒装焊接；第二步：将第一步倒装焊接完毕的倒装芯片蓝宝石基片的另一面上利用自组装排列技术制备单层微米级尺寸聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚乙烯(PS)球粒六角点阵，采用单脉冲紫外光照，使整个六角点阵的球粒连成一片，并形成球形微凸透镜阵列。第三步：利用氯离子及氩离子对微凸透镜阵列进行干法刻蚀，将蓝宝石基片上的聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯微凸透镜阵列转移到蓝宝石基片表面上，从而在蓝宝石基片上制备出微米及亚微米级微凸透镜。