发明名称 晶片型被动元件基板
摘要 本创作系一种晶片型被动元件基板,系于一基板上形成复数条相互平行的横向分离线,再于各二分离线之间形成有复数个纵向穿槽,定义两相邻穿槽与分离线之间系一元件区,用以制作晶片型被动元件;于晶片型被动元件之制程中分离各元件区时,该穿槽可防止因分离加工时造成元件区分离后尺寸有误差,且于后续制程中对元件区进行电镀电极时,电镀不致不均匀而影响晶片型被动元件之导电效果。
申请公布号 TWM295791 申请公布日期 2006.08.11
申请号 TW095202978 申请日期 2006.02.22
申请人 华新科技股份有限公司 发明人 陆秀强;郭俊雄
分类号 H01L27/01 主分类号 H01L27/01
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种晶片型被动元件基板,其主要系于一基板上 形成有复数条相互平行的横向分离线,各二分离线 之间形成有复数穿槽,定义两相邻穿槽与分离线之 间系一用以制作晶片型被动元件的元件区。 2.如申请专利范围第1项所述之晶片型被动元件基 板系一以陶瓷作为基材之基板。 3.如申请专利范围第1项所述之晶片型被动元件基 板,该基板上对应穿槽系进一步形成有复数条与前 述横向分离线垂直之纵向分离线。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之晶片型 被动元件基板,该基板系应用于制作晶片型电阻。 图式简单说明: 第一图:系本创作基板之俯视图。 第二A~J图:系本创作之基板应用于制作晶片电阻之 流程图。 第三A~K图:系习用基板应用于制作晶片电阻之流程 图。 第四图:系习用制造晶片电阻过程中将基板折断所 形成条状基板的断面示意图。
地址 台北市内湖区瑞光路480号10楼