| 主权项 |
1.一种用以自记忆体读取资讯之方法,其包含之步 骤有: 执行一读取周期,该读取周期包括一破坏性读取操 作及一写回操作;以及 其中该破坏性读取操作包括从一记忆体之一第一 记忆体晶胞读取资讯,且其中该写回操作包括将自 该第一记忆体晶胞读取之资讯写入到该记忆体之 一第二记忆体晶胞。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中读取该资讯之 步骤包括: 施加一读取电压于该第一记忆体晶胞上;以及 判定从该第一记忆体晶胞释出之电荷量,以判断储 存在该第一记忆体晶胞内之该资讯之逻辑状态。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该资讯写入之 步骤包括施加一写入电压于该第二记忆体晶胞上 。 4.如申请专利范围第1项之方法,其更包含:将写入 该第一记忆体晶胞之动作延迟一预定时间量之步 骤。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中另一记忆体操 作包括施加具一第一极性之一第一电压于该第一 记忆体晶胞上,其中该第一电压足以切换该第一记 忆体晶胞之极化状态。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该破坏性读取 操作包括从一非依电性聚合物铁电性碟片快取记 忆体之一第一记忆体晶胞读取资讯。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该资讯写入之 步骤包括:当一第二记忆体晶胞为空的时,写入读 自该第一记忆体晶胞之资讯到该第二记忆体晶胞 。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中该写回操作更 包括:在经过一预定时间量后,写回读自该第一记 忆体晶胞之资讯到该第一记忆体晶胞。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一记忆体 晶胞位于该记忆体之一第一节段,而该第二记忆体 晶胞位于实体上与该第一节段分离之该记忆体之 一第二节段。 10.一种用以自记忆体读取资讯之包含储存媒体之 物品,该媒体上储存有指令,该等指令在以一计算 平台执行时会进行下列动作:执行一读取周期,其 包括一破坏性读取操作及一写回操作,其中该破坏 性读取操作包括从一记忆体之一第一记忆体晶胞 读取资讯,而其中该写回操作把写入读自该第一记 忆体晶胞之该资讯包括到该记忆体之一第二记忆 体晶胞。 11.如申请专利范围第10项之物品,其中该等指令执 行时更使得:把写入该第一记忆体晶胞之动作延迟 一预定时间量。 12.如申请专利范围第10项之物品,其中该破坏性读 取操作包括从一非依电性聚合物铁电性碟片快取 记忆体之一第一记忆体晶胞读取资讯,且其中该资 讯写入之动作包括:当一第二记忆体晶胞为空的时 ,写入读自该第一记忆体晶胞之该资讯至该第二记 忆体晶胞。 13.一种用以将资讯写入记忆体之方法,其包含下列 步骤: 接收一请求以写入资讯到一聚合物记忆体中之一 第一位置;及 响应该请求写入该资讯到该聚合物记忆体中一第 二位置。 14.如申请专利范围第13项之方法,其更包含判断该 第二位置是否可用,且其中该写入步骤包括响应该 请求将该资讯只写入到该聚合物记忆体之该第二 位置。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中写入步骤包 括响应该请求,若该第二位置可用则将该资讯写入 到该第二位置,而不将该资讯写入到该第一位置。 16.如申请专利范围第13项之方法,其中该第一位置 系于该聚合物记忆体之一第一阵列中,且该第二位 置系于该聚合物记忆体之一第二阵列中,其中该第 一阵列系实体地与该第二阵列分离。 17.如申请专利范围第13项之方法,其中该聚合物记 忆体为一破坏性读取铁电性记忆体,而该第一位置 系于该聚合物记忆体之一第一节段中,该第二位置 系于该聚合物记忆体之一第二节段中,其中该第一 节段系实体地与该该第二节段分离。 18.一种用以自记忆体读取资讯之装置,其包含: 具有至少两记忆体阵列之一记忆体;以及 耦接于该记忆体以执行包括一破坏性读取操作和 一写回操作之一读取周期的一记忆体控制器,其中 该破坏性读取操作包括从该记忆体之一第一记忆 体晶胞读取资讯,而其中该写回操作包括写入读自 该第一记忆体晶胞之该资讯到该记忆体之一第二 记忆体晶胞。 19.如申请专利范围第18项之装置,其中该第一及第 二记忆体晶胞为包含一非依电性铁电性聚合物材 料之铁电性记忆体晶胞。 20.如申请专利范围第19项之装置,其中该非依电性 铁电性聚合物材料包含一种聚氟乙烯化合物、一 种聚乙烯氟化物、一种聚氯乙烯化合物、一种聚 乙烯氯化物、一种聚丙烯、一种聚醯化合物、 上述之共聚物、或上述之组合。 21.一种用以自记忆体读取资讯之系统,其包含: 一碟片记忆体; 耦接于该磁片记忆体之一磁片快取记忆体;以及 耦接该记忆体来执行包括一破坏性读取操作及一 写回操作之一读取周期的一记忆体控制器,其中该 破坏性读取操作包括从该记忆体之一第一记忆体 晶胞读取资讯,而其中该写回操作包括将读自该第 一记忆体晶胞之该资讯写入至该记忆体之一第二 记忆体晶胞。 22.如申请专利范围第21项之系统,其中该该磁片快 取记忆体之储存容量为至少500MB(megabyte,百万位元 组)且该该磁片记忆体之储存容量为至少1GB。 23.如申请专利范围第21项之系统,其中该磁片快取 记忆体为一非依电性聚合物记忆体。 24.如申请专利范围第21项之系统,其中该磁片快取 记忆体为一非依电性铁电性记忆体。 25.如申请专利范围第21项之系统,其中该第一记忆 体晶胞位于该记忆体之一第一阵列中,而该第二记 忆体晶胞位于实体上与该第一阵列分离之该记忆 体之一第二阵列。 26.一种用以将资讯写入记忆体之方法,其包含之步 骤有: 接收一请求以写入资讯到一铁电性记忆体上之一 第一位置;以及 响应该请求将该资讯写入到该铁电性记忆体之一 第二位置。 27.如申请专利范围第26项之方法,其更包含判断该 第二位置是否可用,且其中该写入步骤包括响应该 请求,将该资讯仅写入至该铁电性记忆体之该第二 位置。 28.如申请专利范围第26项之方法,其中写入步骤包 括响应于该请求,若该第二位置系可用的则将该资 讯写入至该第二位置,及不将该资讯写入至该第一 位置,其中该第一位置系于该铁电性记忆体之一第 一阵列中,而该第二位置系于该铁电性记忆体之一 第二阵列中,且其中该第一阵列实体地与该第二阵 列分离。 图式简单说明: 第1图为绘示一铁电记忆体晶胞之一部份的图; 第2图系一铁电晶胞之极性与电压属性图; 第3图系一铁电记忆体装置之方块图; 第4图系绘示依据本发明之一实施例,读取储存在 一破坏性读取记忆体之资讯的方法流程图; 第5图绘示依据本发明之一实施例,将资讯写入一 记忆体的方法流程图;以及 第6图绘示依据本发明之一实施例,一部份计算系 统之方块图。 |
