| 主权项 |
1.一种光阻剥离液,包括: 一非离子型界面活性剂,其含量范围为1wt%-30wt%; 一金属腐蚀抑制剂,其含量范围为0.0001wt%-15wt%; 一胺醇类,其含量范围为0.0001wt%-15wt%; 一弱酸类,其含量范围为0.0001wt%-15wt%;以及 一水,其含量范围为50wt%-90wt%。 2.如申请专利范围第1项所述之光阻剥离液,更包括 一二醇类,其含量范围为10wt%-80wt%。 3.如申请专利范围第2项所述之光阻剥离液,其中该 二醇类为单丁醚一缩贰[乙二醇]、单乙醚一缩贰[ 乙二醇]、二甲醚一缩贰[乙二醇]、二乙醚一缩贰[ 乙二醇]、二丁醚一缩贰[乙二醇]、醋酸单丁醚一 缩贰[乙二醇]或其混合物。 4.如申请专利范围第1项所述之光阻剥离液,其中该 非离子型界面活性剂为聚氧化乙烯类或聚氧化丙 烯类。 5.如申请专利范围第1项所述之光阻剥离液,其中该 金属腐蚀抑制剂为一苯并三唑(benzotriazole)衍生物 或一二唑(thiadiazole)衍生物。 6.如申请专利范围第5项所述之光阻剥离液,其中该 苯并三唑衍生物包括苯并三唑、4–甲基–苯并三 唑、5–甲基–苯并三唑、4, 7–二甲基–苯并三 唑、5, 6–二甲基–苯并三唑或2–巯基–苯并三 唑。 7.如申请专利范围第5项所述之光阻剥离液,其中该 二唑衍生物包括2, 5–二巯基–1, 3, 4–二唑 、2–胺基–5–巯基–1, 3, 4–二唑或2, 5–二胺 基–1, 3, 4–二唑。 8.如申请专利范围第1项所述之光阻剥离液,其中该 胺醇类为乙醇胺、N–甲基乙醇胺、N,N–二甲基乙 醇胺、N–乙基乙醇胺、N–甲基,N–乙基乙醇胺、 N,N–二乙基乙醇胺或其混合物。 9.如申请专利范围第1项所述之光阻剥离液,其中该 弱酸类包括柠檬酸。 10.如申请专利范围第1项所述之光阻剥离液,其中 该水包括超纯水。 11.一种光阻剥离方法,包括: 提供一基板,该基板上已形成有一导体层; 于该导体层上形成一图案化光阻层; 以该图案化光阻层为罩幕,蚀刻该导体层;以及 以一光阻剥离液移除该图案化光阻层,其中该光阻 剥离液包括: 一非离子型界面活性剂,其含量范围为1wt%-30wt%; 一金属腐蚀抑制剂,其含量范围为0.0001wt%-15wt%; 一胺醇类,其含量范围为0.0001wt%-15wt%; 一弱酸类,其含量范围为0.0001wt%-15wt%;以及 一水,其含量范围为50wt%-90wt%。 12.如申请专利范围第11项所述之光阻剥离方法,其 中蚀刻该导体层的方法包括乾式蚀刻法。 13.如申请专利范围第11项所述之光阻剥离方法,其 中该导体层的材质包括金属。 14.如申请专利范围第11项所述之光阻剥离方法,更 包括一二醇类,其含量范围为10wt%-80wt%。 15.如申请专利范围第14项所述之光阻剥离方法,其 中该二醇类为单丁醚一缩贰[乙二醇]、单乙醚一 缩贰[乙二醇]、二甲醚一缩贰[乙二醇]、二乙醚一 缩贰[乙二醇]、二丁醚一缩贰[乙二醇]、醋酸单丁 醚一缩贰[乙二醇]或其混合物。 16.如申请专利范围第11项所述之光阻剥离方法,其 中该非离子型界面活性剂为聚氧化乙烯类或聚氧 化丙烯类。 17.如申请专利范围第11项所述之光阻剥离方法,其 中该金属腐蚀抑制剂为一苯并三唑衍生物或一 二唑衍生物。 18.如申请专利范围第11项所述之光阻剥离方法,其 中该胺醇类为乙醇胺、N–甲基乙醇胺、N,N–二甲 基乙醇胺、N–乙基乙醇胺、N–甲基,N–乙基乙醇 胺、N,N–二乙基乙醇胺或其混合物。 19.如申请专利范围第11项所述之光阻剥离方法,其 中该弱酸类包括柠檬酸。 20.如申请专利范围第11项所述之光阻剥离方法,其 中该水包括超纯水。 图式简单说明: 图1是依照本发明之光阻剥离法所绘示的流程图。 图2为光阻清洗效果测试前的照片图。 图3为图2的放大图。 图4为光阻清洗效果测试后的照片图。 图5为图4的放大图。 图6为利用比较例2的光阻剥离液进行光阻溶解能 力测试前的照片图。 图7为为利用比较例2的光阻剥离液进行光阻溶解 能力测试后的照片图。 图8为利用比较例3的光阻剥离液进行光阻溶解能 力测试前的照片图。 图9为利用比较例3的光阻剥离液进行光阻溶解能 力测试后的照片图。 图10为为利用实验例的光阻剥离液进行光阻溶解 能力测试前的照片图。 图11为为利用实验例的光阻剥离液进行光阻溶解 能力测试后的照片图。 图12为消泡性测试开始时的照片图。 图13为消泡性测试进行0.5分钟后的照片图。 图14为消泡性测试进行1分钟后的照片图。 |
