发明名称 记忆体模组及其制造方法
摘要 一种记忆体模组,其系主要包含有复数个记忆体封装件、一模组封胶体及复数个外接垫,该些记忆体封装件系相互堆叠排列,每一记忆体封装件系包含有一记忆体晶片以及一具有复数个外接指之晶片载板,该些外接指系形成于对应之该些晶片载板之同一侧边,该模组封胶体系密封该些记忆体封装件,并具有一接合面,以显露该些外接指之侧面,该些外接垫系形成该模组封胶体之该接合面,并连接该些外接指之侧面,该些外接垫系导接该些记忆体封装件至一模组基板,故该记忆体模组系具有较微小之外观。
申请公布号 TWI260069 申请公布日期 2006.08.11
申请号 TW093125406 申请日期 2004.08.24
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA) LTD. 百慕达 发明人 李宜璋;刘安鸿;赵永清;李耀荣
分类号 H01L21/8239 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人 许庆祥 高雄市苓雅区新光路24巷31号
主权项 1.一种记忆体模组,包含: 复数个记忆体封装件,其系相互堆叠排列,每一记 忆体封装件系包含有一记忆体晶片及一晶片载板, 每一晶片载板系包含有复数个外接指,其系形成于 对应晶片载板之同一侧边; 一模组封胶体,其系密封该些记忆体封装件,并具 有一接合面,以显露该些外接指之侧面;及 由一金属层形成之复数个外接垫,其系形成于该模 组封胶体之该接合面,并连接该些外接指之侧面。 2.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组,其中该 些外接垫系与该些晶片载板之该些外接指为垂直 向连接。 3.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组,其中该 些外接垫之数量系小于该些晶片载板之该些外接 指之数量。 4.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组,其中该 些外接垫之面积系大于该些晶片载板之该些外接 指之侧面面积。 5.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组,其另包 含一模组基板,其系具有复数个连接垫,且该模组 封胶体之该接合面系接合于该模组基板,以导通该 些外接垫与该模组基板之该些连接垫。 6.如申请专利范围第5项所述之记忆体模组,其另包 含复数个焊球,其系设于该模组基板。 7.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组,其中该 些记忆体封装件系具有相同之尺寸外观。 8.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组,其中该 些晶片载板系选自于可挠性基板(flexible substrate) 与印刷电路板之其中之一。 9.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组,其中每 一记忆体封装件系包含有一强化板(stiffener),其系 黏结于对应之晶片载板。 10.一种记忆体模组之制造方法,包含: 相互堆叠排列复数个记忆体封装件,每一记忆体封 装件系包含有一记忆体晶片及一晶片载板,每一晶 片载板系包含有复数个外接指,其系形成于对应晶 片载板之同一侧边; 形成一模组封胶体,以密封该些记忆体封装件; 切割该模组封胶体,以使该模组封胶体具有一接合 面,以显露该些外接指之侧面; 形成一金属层于该模组封胶体,该金属层并形成于 该模组封胶体之该接合面;及 由该金属层形成复数个外接垫,该些外接垫系连接 该些外接指之侧面。 11.如申请专利范围第10项所述之记忆体模组之制 造方法,其中该金属层系以电镀方式形成。 12.如申请专利范围第10项所述之记忆体模组之制 造方法,其中该些外接垫系以雷射切割该金属层之 方式形成。 13.如申请专利范围第10项所述之记忆体模组之制 造方法,其中该些外接垫系与该些晶片载板之该些 外接指为垂直向连接。 14.如申请专利范围第10项所述之记忆体模组之制 造方法,其中该些外接垫之数量系小于该些晶片载 板之该些外接指之数量。 15.如申请专利范围第10项所述之记忆体模组之制 造方法,其中该些外接垫之面积系大于该些外接指 之侧面面积。 16.如申请专利范围第10项所述之记忆体模组之制 造方法,其另包含:接合该模组封胶体之该接合面 于一模组基板,该模组基板系具有复数个连接垫, 其系导通该些外接垫。 17.如申请专利范围第16项所述之记忆体模组之制 造方法,其另包含复数个焊球,其系设于该模组基 板。 18.如申请专利范围第10项所述之记忆体模组之制 造方法,其中该些记忆体封装件具有相同之尺寸外 观。 19.如申请专利范围第10项所述之记忆体模组之制 造方法,其中该些晶片载板系选自于可挠性基板( flexible substrate)与印刷电路板之其中之一。 20.如申请专利范围第10项所述之记忆体模组之制 造方法,其中每一记忆体封装件系包含有一强化板 (stiffener),其系黏结于对应之晶片载板。 图式简单说明: 第1图:习知整合式多晶片之晶片尺寸封装构造之 截面示意图; 第2图:依本发明之一种记忆体模组之截面示意图; 第3图:依本发明之该记忆体模组之一接合面之正 面示意图;及 第4A至4E图:依本发明之该记忆体模组之制造方法, 复数个记忆体封装件在制造过程中之截面示意图 。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发一路1号