| 主权项 |
1.一种具有内嵌电磁防护电容之晶片,其包含有: 复数个电力线路,每一电力线路用来连接于该晶片 外的一个偏压电源,以在该晶片与该偏压电源间传 输该偏压电源提供的电力;以及 至少一电容电路,各电容电路连接于两对应之电力 线路之间,每一电容电路可于两对应之电力线路之 间提供一电容性阻抗,用来吸收该两电力线路间的 电力骤变,以提供电磁防护的功能。 2.如申请专利范围第1项之晶片,其中各电容电路包 含有一或复数个电容,各电容的两端分别连接于一 对应之电力线路。 3.如申请专利范围第2项之晶片,其中,各电容系由 一对应之金氧半电晶体所形成,该金氧半电晶体之 闸极电连于一对应之电力线路,而其汲极与源极则 电连于另一对应之电力线路。 4.一种实现具有内嵌电磁防护电容晶片的方法,其 包含有: 于该晶片中实现复数个电力线路,使每一电力线路 可连接于该晶片外的一个偏压电源,以在该晶片与 该偏压电源间传输该偏压电源提供的电力;以及 实现至少一电容电路,使各电容电路连接于两对应 之电力线路之间,以使每一电容电路可于两对应之 电力线路之间提供一电容性阻抗,用来吸收该两电 力线路间的电力骤变,提供电磁防护的功能。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中,当实现该电 容电路时,系包含有: 于该晶片上实现复数个电容,使各个电容具有预设 的对应电容値; 分析该晶片可能产生之电磁干扰,并依据该电磁干 扰之频谱,以决定出一电磁防护电容値; 于该复数个电容中,选出至少一个电容以使各个被 选出的电容的总电容値与该电磁防护电容値相符; 以及 将各个被选出的电容连接于两对应电力线路之间 。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中,当实现该复 数个电容时,系于该晶片中实现复数个金氧半电晶 体,以使各金氧半电晶体可做为一电容。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中,当使一金氧 半电晶体做为一电容时,系使该金氧半电晶体之闸 极作为电容的一端,而该金氧半电晶体之源极与汲 极共同形成电容的另一端。 图式简单说明: 第1图为一电子系统中典型外接式电磁防护电容之 配置示意图。 第2图为本发明于电子系统之晶片中设置内嵌式电 磁防护电容之配置示意图。 第3图为本发明于第2图之晶片实现内嵌式电磁防 护电容的示意图。 |
