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Il s'agit d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comprenant les étapes de formation d'une première, d'une deuxième et d'une troisième couches (1,2,3) de semiconducteur, une concentration d'espèces pouvant être oxydées dans la première et la troisième couches (1,3) étant sensiblement plus faible que dans la deuxième couche (2),de réalisation d'un masque (4) sur la troisième couche (3), et d'oxydation de la deuxième couche (2) par diffusion d'espèces oxydantes au travers de la troisième couche (3).
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