In-situ-gebildetes Halo-Gebiet in einem Transistorelement

摘要

Durch Ausführen einer Sequenz aus selektiven epitaktischen Wachstumsprozessen mit mindestens zwei unterschiedlichen Dotierstoffgattungen oder durch Einführen einer ersten Dotierstoffgattung vor dem epitaktischen Wachstumsprozess eines Drain- und Sourcegebiets kann ein Halo-Gebiet in äußerst effizienter Weise gebildet werden, wobei gleichzeitig das Maß an Gitterschäden in dem epitaktisch gewachsenen Halbleitergebiet auf einem geringen Niveau gehalten wird.