Technik zur Erhöhung der Prozessflexibilität während der Herstellung von Kontaktdurchführungen und Gräben in Zwischenschichtdielektrika mit kleinem epsilon

摘要

In einem Ätzprozess zur Herstellung von Kontaktdurchführungsöffnungen und Grabenöffnungen in einer dielektrischen Schicht mit kleinem epsilon wird der Materialabtrag einer darunter liegenden Ätzstoppschicht von dem Ätzen durch das Dielektrikum mit kleinem epsilon entkoppelt, indem das Verringern der Dicke im Wesentlichen während des Lackentfernens erreicht wird. Für diesen Zweck kann die Lackplasmaätzung entsprechend so gesteuert werden, dass die gewünschte Solldicke der Ätzstoppschicht erreicht wird, wobei Fluor aus einer externen Quelle zugeführt werden kann und/oder wobei Fluor in gesteuerter Weise aus Polymerschichten gewonnen werden kann, die innerhalb der Ätzkammer abgeschieden sind.