METHOD OF WET ETCHING FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE,申请号KR20050010222-传众专利搜索

发明名称	METHOD OF WET ETCHING FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号	KR20060089945(A)	申请公布日期	2006.08.10
申请号	KR20050010222	申请日期	2005.02.03
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	LEE, MAN YOUNG;LEE, SEUNG KUN;JUNG, DONG HOON;JUNG, CHANG YONG
分类号	H01L21/3063	主分类号	H01L21/3063
代理机构		代理人
主权项
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