| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung enthält ein Halbleitersubstrat (12) von einem ersten Leitungstyp. Auf der unteren Oberfläche des Halbleitersubstrats (12) ist ein Kollektorgebiet (34) von einem zweiten Leitungstyp ausgebildet und auf dem Kollektorgebiet (34) ist eine Kollektorelektrode (38) ausgebildet. Außerdem sind wenigstens ein Paar Isoliergebiete (32) vom zweiten Leitungstyp ausgebildet, die von der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (12) zu der Kollektorschicht (34) verlaufen, um in Verbindung mit dem Kollektorgebiet (34) ein Driftgebiet (36) vom ersten Leitungstyp zu definieren. Angrenzend an die obere Oberfläche des Halbleitersubstrats (12) und in dem Driftgebiet (36) ist ein Basisgebiet (16) vom zweiten Leitungstyp ausgebildet, und angrenzend an die obere Oberfläche des Halbleitersubstrats (12) und in dem Basisgebiet (16) ist ein Emittergebiet (18) vom ersten Leitungstyp ausgebildet. Dem Basisgebiet (16) gegenüberliegend ist über einer Isolierschicht (20) eine Gateelektrode (22) ausgebildet. Auf dem Emittergebiet (18) ist eine Emitterelektrode (26) ausgebildet. Die Kollektorschicht (34) hat eine Dicke von 17 mum bis 50 mum. |
