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发明名称
Verfahren zum Bilden einer Wandoxidschicht und einer Isolationsschicht in einem Flashspeicherbauelement
摘要
申请公布号
DE102004060669(A8)
申请公布日期
2006.08.10
申请号
DE200410060669
申请日期
2004.12.15
申请人
HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON
发明人
LEE, SEUNG CHEOL
分类号
H01L21/8247
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
主权项
地址
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