| 摘要 |
<p>Заявляемая полезная модель относится к области технологического оборудования для получения тонких диэлектрических покрытий. Она может использоваться в процессе изготовления фоточувствительных матриц на основе теллурида кадмия-ртути (КРТ) для нанесения пассивирующего покрытия теллурида кадмия на поверхность КРТ. Новым в заявляемой установке является то, что процесс панесения проходит в реакторе типа «горячая стенка» при большой разнице температур между источником и подложкой в неравновесных условиях при низких давлениях компонентов паровой фазы, и, таким образом, в отличие от классического метода «горячей стенки» относится скорее к вакуумному напылению, чем газофазному. С его помощью можно проводить эпитаксиальное наращивание теллурида кадмия на поверхности КРТ, что дает возможность получить границу раздела высокого качества при абсолютной адгезии покрытия. Новым является также конструктивное решение установки на базе отдельных модулей, что делает ее удобной для эксплуатации в условиях чистых производственных помещений. Применение установки, реализующей заявляемую полезную модель, при изготовлении матричных фотоприемников на КРТ прозволило улучшить параметры фоточувствительных элементов и повысить процент выхода годных приборов.</p> |
