| 发明名称 | 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 | ||
| 摘要 | 一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤2：将步骤1所述的霍尔元件放入闭循环制冷系统中；步骤3：测量霍尔元件切向电阻与温度的关系曲线，确定镓锰砷导电特征从绝缘性转变到金属性的相变温度，从而确定镓锰砷薄膜的铁磁转变温度。 | ||
| 申请公布号 | CN1815213A | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN200510006769.5 | 申请日期 | 2005.02.04 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵建华;蒋春萍;郑厚植;邓加军;杨富华;牛智川;吴晓光 |
| 分类号 | G01N27/14(2006.01);G01N27/00(2006.01);G01N25/00(2006.01) | 主分类号 | G01N27/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤2：将步骤1所述的霍尔元件放入闭循环制冷系统中；步骤3：测量霍尔元件切向电阻与温度的关系曲线，确定镓锰砷导电特征从绝缘性转变到金属性的相变温度，从而确定镓锰砷薄膜的铁磁转变温度。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||