具有象素电极和导电层的半导体器件

摘要

薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导器件。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体层，具有形成在一绝缘表面上的至少第一和第二掺杂区及沟道形成区；栅绝缘膜，靠近所述沟道形成区设置；栅电极，靠近所述栅绝缘膜设置；绝缘膜，包含形成在所述半导体层上的有机树脂、所述栅绝缘膜和所述栅电极；象素电极，形成在所述绝缘膜上，且与所述第一和第二掺杂区之一电连接；以及导电层，形成在所述绝缘膜上，且与所述第一和第二掺杂区中另一区电连接。