| 发明名称 | 单片集成电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 具有可变电容的单片集成电容器，包括第一掺杂类型(p)的第一半导体区结构(13；91)、与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型(n+)的第二半导体区结构(11；82)、与第一半导体区结构相连的电容器的第一电极(16)、以及与第二半导体区结构相连的电容器的第二电极(15)。第二半导体区结构与所述第一半导体区结构接触，并至少横向地设置在所述第一半导体区结构的两个相对侧上，第一和第二半导体区结构之间的边界(14)(优选地是平的边界)相对于具有横向法线(18)的平面(17)是倾斜的。优选地，第二半导体区结构在侧向平面部分或完全环绕所述第一半导体区结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1815758A | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN200510131724.0 | 申请日期 | 2005.12.13 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | T·阿恩博尔格;T·约翰松 |
| 分类号 | H01L29/93(2006.01);H01L21/329(2006.01) | 主分类号 | H01L29/93(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种具有可变电容的单片集成电容器，包括：-掺杂成第一掺杂类型(p)的第一半导体区结构(13；91)，-掺杂成第二掺杂类型(n+)的第二半导体区结构(11；82)，其与所述第一半导体区结构接触，并至少横向地设置在所述第一半导体区结构的两个相对侧上，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，-与所述第一半导体区结构相连的所述电容器的第一电极(16)，以及-与所述第二半导体区结构相连的所述电容器的第二电极(15)，其特征在于-所述第一和第二半导体区结构之间的边界(14)相对于具有横向法线(18)的平面(17)是倾斜的。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||