| 发明名称 | 利用薄钌间隔层和高磁场退火的增强反平行被钉扎传感器 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有间隔层的反平行被钉扎传感器，所述间隔层提高了该传感器的反平行耦合强度。该反平行被钉扎传感器是GMR或TMR传感器，其具有纯钌或钌合金间隔层。间隔层的厚度小于0.8nm，优选在0.1和0.6nm之间。间隔层还在1.5特斯拉或更高且优选大于5特斯拉的磁场中退火。该设计产生意想不到的结果，是利用0.8nm厚且在约1.3特斯拉的较低磁场中退火的钌间隔层的普通AP被钉扎GMR和TMR传感器的钉扎场的三倍以上。 | ||
| 申请公布号 | CN1815561A | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN200610005181.2 | 申请日期 | 2006.01.13 |
| 申请人 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 发明人 | 李文扬;李晋山;丹尼尔·莫里;西冈浩一;田岛康成 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01);H01F10/32(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种提高传感器的耦合强度的方法，该方法包括：(a)提供具有小于0.8nm的厚度的钌间隔层；(b)形成具有所述钌间隔层的传感器；以及(c)在1.5特斯拉或更高的磁场中退火所述钌间隔层。 | ||
| 地址 | 荷兰阿姆斯特丹 | ||