基于丝网印刷工艺的背面点接触硅太阳电池及其制造方法

摘要

基于丝网印刷工艺的背面点接触硅太阳电池，P型硅片上设有磷扩散形成的PN结、正面设有氮化硅层或二氧化硅层表面钝化层和减反膜，以及正电极。特征是，该硅片背金属层通过p－型点状合金扩散区构成欧姆接触，背金属的其他部分与硅片背面之间设有钝化层。其制造方法是：硅片选用P型；绒面制作和清洗；磷扩散形成PN结；等离子刻蚀腐蚀边缘：两面生长氮化硅或二氧化硅；背面通过丝网印刷，用固相－固相扩散或选择性气相扩散的方法制成点接触的P+的浓区；正面通过丝网印刷电极及烧结；背面全面积加金属层。本发明使电池的开路电压＞650mV，电流密度＞38mA/cm²，填充因子在74％～78％，电池的转换效率可达18％～20％。

主权项

1、基于丝网印刷工艺的背面点接触硅太阳电池，P型硅片上设有磷扩散形成的PN结、正面设有氮化硅层或二氧化硅层表面钝化层和减反膜，以及正电极，其特征在于，该硅片背金属层通过p-型点状合金扩散区构成欧姆接触，背金属的其他部分与硅片背面之间设有钝化层。