| 发明名称 | 铁磁性材料 | ||
| 摘要 | 制造掺杂低铁磁性半导体材料的方法，该方法通过向块状形式的氧化锌中掺杂锰且其浓度的最大水平为5原子％。优选在最高650℃的温度下对该材料进行烧结。该方法的结果是包含Mn掺杂ZnO的半导体材料，且Mn的浓度不超过5at％，其中所述的Mn掺杂ZnO在约218K至425K温度范围的至少一部分是铁磁性的。 | ||
| 申请公布号 | CN1816503A | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN200480004979.4 | 申请日期 | 2004.02.06 |
| 申请人 | NM自旋电子学股份公司 | 发明人 | P·夏尔马;K·V·拉奥;B·约翰松;R·阿胡贾 |
| 分类号 | C04B35/453(2006.01);H01F10/10(2006.01) | 主分类号 | C04B35/453(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.制造掺杂低铁磁性半导体材料的方法，该方法包括如下步骤：-向块状形式的氧化锌中掺杂锰且其浓度的最大水平为5at％。 | ||
| 地址 | 瑞典隆德 | ||