| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 为防止来自晶片周端部的尘埃，利用化学药剂，以比对其下的绝缘膜的腐蚀率高的腐蚀率除掉已成膜的半导体膜的至少背面全部和周端部，实现在表面的集成电路图形区形成半导体膜的半导体器件。借助于如此进行制作，可以避免来自晶片周边部的尘埃的课题，实现具有高可靠性的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1269193C | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN03136744.5 | 申请日期 | 2003.05.20 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 太田胜启;富山宪世;一濑晃之 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，包含：半导体衬底；在该半导体衬底上的整个背面及表面和包括上述半导体衬底的周端部在内的周边部形成的绝缘膜；以及在作为上述半导体衬底表面侧的，在除上述绝缘膜的周边部外的区域上形成的半导体膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||