发明名称 磁记录介质的制造方法
摘要 一种磁记录介质的制造方法,能够制造具有凹凸图案的记录层且表面充分平坦的磁记录介质。制作具有在基板(12)上以规定的凹凸图案形成的记录层(32)及在该记录层(32)的至少记录要素(32A)(凸部)上形成的第一掩模层(暂定基底材料)(22)的被加工体(10),并在被加工体(10)上成膜与第一掩模层(22)不同的填充物(36)而填充凹部(34),而且,通过干式蚀刻法除去填充物(36)多余部分中的至少一部分,以使第一掩模层(22)的至少一侧面露出,并通过对第一掩模层(22)的蚀刻速率高于对填充物(36)的蚀刻速率的蚀刻法,除去第一掩模层(22)而使表面平坦化。
申请公布号 CN1815570A 申请公布日期 2006.08.09
申请号 CN200510131432.7 申请日期 2005.12.12
申请人 TDK股份有限公司 发明人 诹访孝裕;大川秀一;岛川和也
分类号 G11B5/84(2006.01);G11B5/66(2006.01) 主分类号 G11B5/84(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 高龙鑫;王玉双
主权项 1.一种磁记录介质的制造方法,其特征在于,包括:被加工体制作工序,制作具有在基板之上以规定的凹凸图案形成的记录层及在该记录层的至少凸部之上形成的暂定基底材料的被加工体;填充物成膜工序,在前述被加工体之上成膜与前述暂定基底材料不同的填充物而填充前述凹凸图案的凹部;填充物除去工序,通过干式蚀刻法,将前述填充物中相比于前述记录层的凸部的上表面而在与前述基板相反一侧形成的多余部分的至少一部分除去,以使在前述记录层的凸部之上形成的前述暂定基底材料的至少侧面露出;平坦化工序,通过对前述暂定基底材料的蚀刻速率高于对前述填充物的蚀刻速率的蚀刻法,除去前述暂定基底材料而使表面平坦化。
地址 日本东京都