发明名称 带补救电路的半导体存储装置
摘要 不用搭载补救用地址译码器,可减少带补救电路的半导体存储装置的面积。通过从控制部5输出的准备信号106,当控制使2选1选择器3把补救用地址信号102输入到地址译码器2时,控制把被译码的补救地址保持在设置于地址比较部1内部的补救信号信息保持部12中,而当控制把读写地址信号101输入到地址译码器2时,控制使地址比较部1对读写地址与补救地址进行比较。
申请公布号 CN1269140C 申请公布日期 2006.08.09
申请号 CN03121662.5 申请日期 2003.03.14
申请人 三菱电机株式会社 发明人 宫西笃史
分类号 G11C29/00(2006.01) 主分类号 G11C29/00(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;叶恺东
主权项 1.一种带补救电路的半导体存储装置,其比较读写对象存储地址与补救对象存储地址,当两个地址一致时不是激活相应的读写对象存储器,而是激活对应的补救用存储器,其包括:至少一个补救地址存储部,存储补救对象存储地址;共用地址译码器,译码从外部输入的读写对象存储地址信号和从补救地址存储部输出的补救对象存储地址信号;选择部,在读写对象存储地址信号和补救对象地址信号中选择某一个信号输入到所述共用地址译码器;地址比较部,设有保持被所述共用地址译码器译码的补救对象存储地址的补救信号信息保持部,并对所保持的补救对象存储地址和被所述共用地址译码器译码的读写对象存储地址进行比较,在所述选择部对所述共用地址译码器输入补救对象存储地址信号的第一场合,保持发送到所述补救信号信息保持部的补救对象存储地址,在所述选择部对所述共用地址译码器输入读写对象存储地址信号的第二场合,比较读写对象存储地址和补救对象存储地址;控制部,在第一场合及第二场合对所述选择部及所述地址比较部输出控制信号。
地址 日本东京都