| 发明名称 | SOC芯片制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种SOC芯片制备方法，在芯片制备过程中，衬底的位于电路一面上设置一正面电极，该正面电极的形状根据衬底上要生成的多孔硅结构不同而不同，其中，电极材料可使用高掺杂多晶硅或P+注入层。针对SOC串扰隔离，多晶硅电极或P+注入层设计为条状；针对射频集成电感，正面电极呈低阻导电带相间隔状。本发明可以实现多孔硅背向选择性的可控生长，而不必变更常规的CMOS工艺步骤，易于实现。 | ||
| 申请公布号 | CN1815713A | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN200510130744.6 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 杨利;廖怀林;黄如;张兴 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 1、一种SOC芯片制备方法，在芯片制备过程中，在衬底位于电路的一面上设置一正面电极，该正面电极的形状根据衬底上要生成的多孔硅结构不同而不同。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 | ||