发明名称 | 构图铟锡氧化物的蚀刻剂和制造液晶显示装置的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于构图铟锡氧化物的蚀刻剂和一种制造液晶显示装置的方法。其中,所述蚀刻剂是HCl、CH<SUB>3</SUB>COOH和水的混合溶液;所述方法包括下列步骤:在衬底上形成栅极;在包含衬底的栅极上形成栅极绝缘层和非晶硅层;通过构图非晶硅层形成有源区域;在有源区域上形成源极和漏极;在源极、漏极和栅极绝缘层上形成钝化层;形成针孔用于露出漏极的一部分;在钝化层上形成铟锡氧化物层;使用HCl、CH<SUB>3</SUB>COOH和水的混合溶液作为蚀刻剂,通过选择性地蚀刻铟锡氧化物层,形成铟锡氧化物电极,其特征在于HCl和CH<SUB>3</SUB>COOH分别占混合溶液总重量的1%到10%。 | ||
申请公布号 | CN1268975C | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
申请号 | CN02119111.5 | 申请日期 | 2002.05.08 |
申请人 | LG.飞利浦LCD有限公司 | 发明人 | 卢柄兑;安维新 |
分类号 | G02F1/136(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G02F1/136(2006.01) |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
主权项 | 1.一种用于构图铟锡氧化物的蚀刻剂,所述蚀刻剂是HCl、CH3COOH和水的混合溶液,其特征在于HCl和CH3COOH分别占混合溶液总重量的1%到10%。 | ||
地址 | 韩国首尔 |