发明名称 |
图案形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种图案形成方法,首先,在衬底101上形成抗蚀膜102。之后在所形成的抗蚀膜102上形成溶剂是水溶性的第一阻挡膜103。接着,在第一阻挡膜103上形成溶剂是乙醇的第二阻挡膜104。接着,在将液体105供到第二阻挡膜104上的状态下透过第一阻挡膜103和第二阻挡膜104用曝光光106有选择地去照射抗蚀膜102而进行图案曝光。接着,除去第一阻挡膜103和第二阻挡膜104后,再对已被图案曝光了的抗蚀膜102进行显像处理,而从抗蚀膜102形成抗蚀图案102a。因此,在湿浸式光刻中,能够提高除去阻挡膜时的溶解性(除去容易性),形成具有良好的形状的微细图案。 |
申请公布号 |
CN1815372A |
申请公布日期 |
2006.08.09 |
申请号 |
CN200610051390.0 |
申请日期 |
2006.01.04 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
远藤政孝;笹子胜 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1.一种图案形成方法,其特征在于:包括:在衬底上形成抗蚀膜的工序,在已形成的所述抗蚀膜上形成溶剂是水溶性的第一阻挡膜的工序,在所述第一阻挡膜上形成溶剂是乙醇的第二阻挡膜的工序,在将液体供到所述第二阻挡膜上的状态下,用曝光光通过所述第一阻挡膜和第二阻挡膜有选择地去照射所述抗蚀膜来进行图案曝光的工序,除去所述第一阻挡膜和第二阻挡膜的工序,以及除去所述第一阻挡膜和第二阻挡膜后,再将已被图案曝光了的所述抗蚀膜显像,以由所述抗蚀膜形成抗蚀图案的工序。 |
地址 |
日本大阪府 |