| 发明名称 | 疏水性热解法二氧化硅 | ||
| 摘要 | 本发明的疏水性热解法二氧化硅，其特征在于，是采用环状二甲基硅氧烷疏水化处理的热解法二氧化硅，表示亲油度的M值在48－65的范围，叩击松密度超过80g/L、但为130g/L以下，在甲苯中测定的表示分散性的n值为3.0－3.5。该疏水性热解法二氧化硅显示高的疏水性，同时松密度高，由此粉体的操作性良好，能够容易地短时间地混合到树脂等基质中，而且能够使之高度分散在该基质中。 | ||
| 申请公布号 | CN1816494A | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN200480019224.1 | 申请日期 | 2004.04.30 |
| 申请人 | 株式会社德山 | 发明人 | 美谷芳雄;长濑克巳;高椋敦嗣 |
| 分类号 | C01B33/18(2006.01) | 主分类号 | C01B33/18(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;王景朝 |
| 主权项 | 1.一种疏水性热解法二氧化硅，是采用环状二甲基硅氧烷疏水化处理的热解法二氧化硅，其特征在于，表示亲油度的M值在48-65的范围，叩击松密度超过80g/L、但为130g/L以下，在甲苯中测定的表示分散性的n值为3.0-3.5。 | ||
| 地址 | 日本山口县周南市 | ||