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发明名称 FLASH MEMORY PROGRAMMING USING GATE INDUCED JUNCTION LEAKAGE CURRENT
摘要
申请公布号 EP1687826(A2) 申请公布日期 2006.08.09
申请号 EP20040800799 申请日期 2004.11.04
申请人 SANDISK CORPORATION 发明人 LUTZE, JEFFREY, W.;PANG, CHAN-SUI
分类号 G11C16/04;G11C16/10 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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