发明名称 一种半导体处理制程
摘要 半导体处理制程用于半导体的研磨、切割,也能够扩及于研磨、切割后续的半导体附贴于载具、半导体堆叠等封装的制程。其应用例之一为晶圆的研磨、切割,以及所得晶粒附贴于载具、所得晶粒堆叠等的封装。将透光物质贴于半导体电连接面,从半导体非电连接面研磨半导体后,经过该透光物质朝向该半导体执行切割,以得到一或多个较小的半导体,作业简易而能降低不良率。到晶粒附贴载具、晶粒堆叠等后续作业,透光物质一直附著晶粒,有效避免薄晶粒的破损,但该透光物质与该粘接物质却可以轻易移离晶粒,因为选用的该粘接物质具一特性:接收一种光线而丧失其与该半导体电连接面之间的粘性,借助该透光物质的透光,让该种光线到达该粘接物质,就可以轻易将该透光物质与该粘接物质移离晶粒。
申请公布号 CN1815694A 申请公布日期 2006.08.09
申请号 CN200510005975.4 申请日期 2005.02.01
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 蔡汉龙;刘儒生;萧承旭
分类号 H01L21/304(2006.01);B28D5/00(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汤保平
主权项 1.一种半导体处理制程,应用于一半导体,该半导体包含一半导体电连接面与一半导体非电连接面,该半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离定义该半导体的原始厚度,其特征在于,该半导体处理制程包含:将一种透光物质贴于该半导体电连接面;从该半导体非电连接面研磨该半导体,得到一新半导体非电连接面,该新半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离小于该原始厚度;以及经过该透光物质朝向该半导体执行一切割作业而得到至少一第一晶粒,该第一晶粒包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面,该第一晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份,该第一晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份,该第一晶粒的晶粒电连接面附有该透光物质。
地址 台湾省台中县