发明名称 半导体激光装置
摘要 本发明的半导体激光装置,配备有:半导体激光元件,载置前述半导体激光元件的引线框,安装到前述引线框上的外壳,在把从前述半导体激光元件出射的主光束方向的定义为前方的情况下,前述引线框在载置前述半导体激光元件的部分的后方,具有成为相对于前述半导体元件的前后方向的基准的基准面。
申请公布号 CN1269278C 申请公布日期 2006.08.09
申请号 CN03108819.8 申请日期 2003.03.28
申请人 株式会社东芝 发明人 河本聡
分类号 H01S5/022(2006.01);H01S5/024(2006.01);H01S5/00(2006.01) 主分类号 H01S5/022(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 黄剑锋
主权项 1、一种半导体激光装置,配备有半导体激光元件、载置前述半导体激光元件的引线框、安装在前述引线框上的外壳,其特征为,在把从前述半导体激光元件出射的主光束方向定义为前方的情况下,前述引线框在载置前述半导体激光元件的部分的后方,具有从上述外壳突出的突起部,以作为用于进行前述半导体激光装置的前后方向定位的基准面;在把垂直于前述引线框的前述半导体激光元件的载置面的方向定义为上下方向,把前述半导体激光元件的载置面作为前述引线框的表面的情况下,前述引线框的背面从外壳露出,以作为用于进行前述半导体激光装置的上下方向定位的基准面。
地址 日本东京都