| 发明名称 | 减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件工艺的方法，包含：在晶圆衬底上提供第一层，在该第一层上提供多晶硅层，在该多晶硅层内注入氮离子，在多晶硅层上形成金属硅化物层，以及形成源极/漏极区。 | ||
| 申请公布号 | CN1815701A | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN200510129672.3 | 申请日期 | 2005.12.16 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 杨令武;陈光钊;骆统 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01) | 主分类号 | H01L21/335(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种半导体元件制造方法，其包含：在晶圆衬底上提供第一层；在该第一层上提供多晶硅层；在该多晶硅层上注入氮离子；在该多晶硅层上形成金属多晶硅化物层；以及形成源极和漏极区。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||