| 发明名称 | 晶片处理装置及晶片处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种免除RTP制程中的开回路阶段的晶片处理装置及晶片处理方法。本发明的晶片处理方法包含于一预热室中将晶片加热至一预定的温度(例如，550℃)；及接着将晶片移至RTP室以直接于闭回路控制下进行晶片加热。本发明的晶片处理方法由于免除了RTP制程中的开回路阶段，因而减少晶片破损、变形等缺点，并增进半导体制程的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1815700A | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN200510023756.9 | 申请日期 | 2005.02.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郭佳衢 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/324(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1、一种晶片处理装置，包含：一预热室，用以加热晶片至一预定温度；RTP室，用以于闭回路控制下加热晶片；及一冷却室，用以冷却晶片至80℃以下。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||