| 发明名称 | 内连线结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种内连线结构及其形成方法，此形成方法包括在一导电区域上形成一第一介电材料，在该第一介电材料上形成一第一绝缘介电材料，在该第一绝缘介电材料中形成一第一开口，使用一第二介电材料覆盖该第一开口，在该第一绝缘介电材料之上形成一第二绝缘介电材料，在该第二绝缘介电材料中形成一第二开口，该第二开口是形成于该第一开口之上，并且与该第一开口互相连接，以及使用一导电金属填充该第一与该第二开口，用以使该等开口中的该导电金属与该导电区域电性相连。本发明可改善半导体装置中集成电路的性能与可靠度，并可降低制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1815711A | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN200510102776.5 | 申请日期 | 2005.09.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 曾铕寪;黄松辉;刘坤赐 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种内连线结构的形成方法，所述内连线结构的形成方法包括：在一导电区域上形成一第一介电材料；在该第一介电材料上形成一第一绝缘介电材料；在该第一绝缘介电材料中形成一第一开口；使用一第二介电材料覆盖该第一开口；在该第一绝缘介电材料之上形成一第二绝缘介电材料；在该第二绝缘介电材料中形成一第二开口，该第二开口是形成于该第一开口之上，并且与该第一开口互相连接；以及使用一导电金属填充该第一与该第二开口，用以使该开口中的该导电金属与该导电区域电性相连。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||