| 发明名称 |
MOS-Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10213082(B4) |
申请公布日期 |
2006.08.03 |
| 申请号 |
DE20021013082 |
申请日期 |
2002.03.20 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
LEE, DONG-HUN |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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