发明名称 在基材上制造图案的方法及系统
摘要 本发明是有关于一种在基材上制造图案的方法及系统,一种高解析度的微影系统与方法。在一实施例中,提供了一种在基材上制造图案的方法,包括将图案区分成至少一第一子图案以及一第二子图案,其中第一子图案包含朝第一方向的复数个线,且第二子图案包含朝第二方向的复数个线。利用第一驻波干涉图案形成朝第一方向的复数条线在基材上的第一光敏材料层上。消减所形成之线的一部分,以形成上述的第一子图案。在第一子图案形成后,提供第二光敏材料层在基材。利用第二驻波干涉图案形成朝第二方向的复数条线在第二光敏材料层上。消减形成在第二光敏层的这些线的一部分,以形成上述的第二子图案。
申请公布号 CN1811599A 申请公布日期 2006.08.02
申请号 CN200510098695.2 申请日期 2005.09.09
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林进祥;林本坚
分类号 G03F7/20(2006.01);G02B27/60(2006.01);G03F7/26(2006.01);G03F7/039(2006.01);G03F9/00(2006.01);G02B27/18(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿宁;张华辉
主权项 1、一种在基材上制造图案的方法,其特征在于其至少包括:将该图案区分成至少一第一子图案以及一第二子图案,其中该第一子图案包含朝一第一方向的复数个线,且该第二子图案包含朝一第二方向的复数个线;利用一第一驻波干涉图案形成朝该第一方向的复数个第一线在该基材上的一第一光敏材料层上;消减部分的该些第一线,以形成该第一子图案;在该第一子图案形成后,提供一第二光敏材料层在该基材上;利用一第二驻波干涉图案形成朝该第二方向的复数个第二线在该第二光敏材料层上;以及消减部分的该些第二线,以形成该第二子图案。
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号