形成互连结构和半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种双金属镶嵌互连结构的方法和半导体器件的方法。在形成双金属镶嵌互连结构的方法中，使用了一种含生孔剂(气孔形成剂)的牺牲材料来填充层间介电层中的通孔，从而可以将牺牲材料转变为可以容易地从通孔去除而不损伤或去除层间介电层的多孔牺牲材料。

主权项

1、一种形成互连结构的方法，包括：在半导体衬底上形成蚀刻停止层，所述半导体衬底具有形成于其上的下导电层；在所述蚀刻停止层上形成层间介电层；形成通过所述层间介电层的通孔来暴露部分的所述蚀刻停止层，所述通孔与部分的所述下导电层对准；用牺牲材料填充所述通孔，所述牺牲材料包括基材料和生孔剂材料的组合；在与所述通孔对准的层间介电层中形成沟槽；从所述牺牲材料去除所述生孔剂材料来将所述牺牲材料转变为多孔牺牲材料，所述多孔牺牲材料包括其中形成有气孔的所述基材料；去除所述通孔中的所述多孔牺牲材料来暴露部分的所述蚀刻停止层；去除所述蚀刻停止层的暴露部分；以及通过用导电材料填充所述沟槽和通孔来形成互连。