纵型栅极半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种纵型栅极半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种在不增大源极区域的接触电阻的情况下，可谋求小型化的纵型栅极半导体装置及其制造方法。发挥晶体管作用的第1区域11，具有：漏极区域111、形成在漏极区域111上侧的体区域112、形成在体区域112上侧的源极区域113A、和形成在体区域112中且被埋入了栅极电极120的沟渠。在延在于第2区域12的体区域112的上侧形成有源极区域113B。构成沟渠的上缘部的源极区域113A、113B形成为带圆弧状的形状。

主权项

1、一种纵型栅极半导体装置，其特征在于：包括：漏极区域，第1体区域，形成在上述漏极区域的上侧，第2体区域，形成在上述第1体区域中的一部分的上侧，第1源极区域，形成在上述第1体区域中的其它部分的上侧，第2源极区域，形成在上述第2体区域的上侧、与上述第1源极区域电连接，沟渠，形成在上述第1源极区域、上述第2源极区域、上述第1体区域及上述第2体区域中，以及栅极，形成在上述沟渠内；上述第2源极区域发挥上述第1源极区域的电触点作用，上述第2体区域发挥上述第1体区域的电触点作用；上述沟渠壁面中的上缘部呈圆弧状。