半导体器件的隔离方法

摘要

提供一种半导体器件的隔离方法，其中绝缘掩模层形成在半导体衬底的预定区域上。采用绝缘掩模层做掩模，在半导体衬底中形成预定深度的沟槽。在绝缘掩模层上和沟槽的侧壁上形成氧化物层。在氧化物层上形成沟槽衬里层。在形成沟槽衬里层的半导体衬底中的沟槽中形成绝缘填料层，以便填充沟槽。去掉绝缘掩模层。根据该半导体器件的隔离方法，可以减少沿着沟槽的边缘产生凹痕，减少在绝缘掩模层之间的界面产生鸟嘴型氧化物层，并降低漏电流，或提高电特性，如阈值电压。

主权项

1、一种半导体器件的隔离方法，包括：a)在半导体衬底的多个区域上形成绝缘掩模层图案；b)用绝缘掩模层图案做掩模，在半导体衬底上形成预定深度的沟槽；c)在绝缘掩模层图案上和沟槽的侧壁上形成氧化物层，其中在步骤c)中，氧化物层是通过热氧化绝缘掩模层图案的表面形成的，在绝缘掩模层图案表面上形成氧化物层的步骤包括：将在其上形成绝缘掩模层图案的半导体衬底加热到预定温度；和通过向绝缘掩模层上提供氧化气体，在1-760乇的压力下形成预定厚度的氧化物层；d)在氧化物层上形成沟槽衬里层；e)在其上形成沟槽衬里层的半导体衬底上的沟槽中形成绝缘填料层，以便填充沟槽；和f)去掉绝缘掩模层图案。