RESISTANCE DRAM(DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY) DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME,申请号KR20050007622-传众专利搜索

发明名称	RESISTANCE DRAM(DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY) DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME
摘要
申请公布号	KR20060086996(A)	申请公布日期	2006.08.02
申请号	KR20050007622	申请日期	2005.01.27
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	CHO, CHOONG RAE;YOO, IN KYEONG;PARK, YOON DONG
分类号	H01L21/8242;H01L27/108	主分类号	H01L21/8242
代理机构		代理人
主权项
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