高频低功耗功率结型场效应晶体管

摘要

一种高频低功耗功率结型场效应晶体管，是由沟道区、源区、漏区、栅区和源电极、栅电极、漏电极组成，特征在于，在各个栅电极下面的半导体中隐埋有相互有一定间距的局域绝缘区，绝缘区的绝缘材料可以是氧化硅，氮化硅或其他绝缘材料。本发明的结型场效应晶体管，可以是沟槽栅型的或平面栅型的，可以是常开型的或常闭型的。由于局域绝缘区改变了电场分布，特别是局域绝缘区与栅区部分重叠切除了一部分栅沟间PN结的面积，因而减小了栅沟PN结电容，减小了开关损耗。可以比沟槽栅MOSFET和无隐埋局域绝缘区的沟槽栅JFET具有更低的高频功率损耗，更适合于需要高频低功耗的应用领域。

主权项

1、一种高频低功耗功率结型场效应晶体管，由沟道区、源区、漏区、栅区和源电极、栅电极、漏电极组成，源区和漏区分别位于硅片的第1表面和第2表面，沟道区位于源区和漏区之间，源区被从第1表面凹下的一定深度的沟槽所包围，沟道区及具有高于沟道区掺杂浓度的源区和漏区为具有第一种导电型号的半导体；栅区为位于沟槽底部周围半导体中的、具有第二种导电型号的半导体；栅区与沟道区相接处形成PN结；源电极、栅电极和漏电极分别位于相应各区的表面上，其特征在于，在各个栅电极下面的半导体中隐埋有局域绝缘区。