| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 具有良好的特性且能提高信赖度，还可以使用SiC晶片。在SiC芯片(9)上形成多个肖特基势垒二极管的单元(10)，各单元(10)具有独立的外部输出电极(4)。形成在SiC芯片(9)上的单元(10)中，只在合格的单元的外部输出电极(4)上形成凸点(11)(直径为数十～数百μm)，没有耐压或漏电电流多的不合格的单元的外部输出电极(4)上不形成凸点。由于不合格的单元上不形成凸点，所以肖特基势垒侧电极(3)依次通过外部输出电极(4)、凸点(11)、布线基板(12)的布线层(13)、外部导线(13a)与外部并联连接，只并联连接合格的单元(10)的外部输出电极(4)。 | ||
| 申请公布号 | CN1812100A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200510129633.3 | 申请日期 | 2005.12.14 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 油谷直毅 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L23/50(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，具有：形成在半导体芯片上的多个半导体元件单元；互相独立地形成在每个该半导体元件单元上的外部输出电极；在合格和不合格的半导体元件单元中、选择性地形成在合格的半导体元件单元的上述外部输出电极上的凸点；以及设置有与该凸点电连接的布线层的布线基板。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||