发明名称 |
激光照射台、装置、方法及制造半导体装置的方法 |
摘要 |
当激光振荡器的输出变得更高,发展用于半导体膜激光退火工艺的更长的线形光束变成必要的。然而,如果线形光束的长度是300-1000mm或更长,那么用于形成线形光束的光学系统的光路长度变得非常长,从而增加了其占地面积尺寸。本发明缩短了光路长度。为了使光学系统的光路长度尽可能地短,并只增加线形光束的长度,可以在线形光束纵向上给半导体膜曲率。 |
申请公布号 |
CN1267765C |
申请公布日期 |
2006.08.02 |
申请号 |
CN02123292.X |
申请日期 |
2002.06.14 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
田中幸一郎 |
分类号 |
G02B27/09(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01S3/00(2006.01) |
主分类号 |
G02B27/09(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王岳;傅康 |
主权项 |
1.一种激光照射台,包括:一个表面,在其上放置有衬底,其中,所述光束在单一方向上被扩展,以及其中,所述表面在平行于该单一方向的方向上具有曲率,以及其中,在相对于光束前进方向的反方向提供曲率。 |
地址 |
日本神奈川县 |