发明名称 隧道结和垂直于平面电荷磁记录传感器及其制造方法
摘要 本发明公开了一种同时初始化磁性传感器中的第一和第二反铁磁层的方法,所述磁性传感器具有包括第一铁磁层的反平行钉扎亚结构,所述第一反铁磁层与所述第一铁磁层交换耦合,所述第二反铁磁层支持自由层的磁偏稳定性,所述磁性传感器的使用利用基本上垂直于所述传感器各层的平面而施加的检测电流,所述方法包括以下步骤:把传感器放入外部磁场中;调整所述磁场的强度,使所述反平行钉扎亚结构中的所述第一铁磁层的磁化方向基本垂直于所述外部磁场方向;把传感器加热到所述第一和第二反铁磁层的闭塞温度之上;和在存在所述外部磁场的情况下,把传感器冷却到所述第一和第二反铁磁层的闭塞温度之下。
申请公布号 CN1268010C 申请公布日期 2006.08.02
申请号 CN02803298.5 申请日期 2002.03.12
申请人 日立环球储存科技荷兰有限公司 发明人 罗伯特·比奇
分类号 H01L43/08(2006.01);G01R33/09(2006.01);G11B5/39(2006.01) 主分类号 H01L43/08(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李德山
主权项 1、一种同时初始化磁性传感器中的第一和第二反铁磁层的方法,所述磁性传感器具有包括第一铁磁层的反平行钉扎亚结构,所述第一反铁磁层与所述第一铁磁层交换耦合,所述第二反铁磁层支持自由层的磁偏稳定性,所述磁性传感器的使用利用基本上垂直于所述传感器各层的平面而施加的检测电流,所述方法包括以下步骤:把传感器放入外部磁场中;调整所述磁场的强度,使所述反平行钉扎亚结构中的所述第一铁磁层的磁化方向基本垂直于所述外部磁场方向;把传感器加热到所述第一和第二反铁磁层的闭塞温度之上;和在存在所述外部磁场的情况下,把传感器冷却到所述第一和第二反铁磁层的闭塞温度之下。
地址 荷兰阿姆斯特丹