| 发明名称 | 激光结晶用的光掩模图案结构与阵列 | ||
| 摘要 | 一种激光结晶用的光掩模图案结构与阵列，用以控制由连续性侧向长晶(Sequential Lateral Solidification；SLS)技术所形成的低温多晶硅中的结晶副晶界的宽度。本发明为于光栅(slit)的相对两侧边上分别形成第一连续波状结构和第二连续波状结构，此相对两侧边大致与晶粒(Grain)成长方向垂直，本发明通过此相对两侧边的间距距离，使得结晶顺序不同及晶种位置不同，以控制晶粒的宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN1811592A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200610009270.4 | 申请日期 | 2006.02.15 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 孙铭伟 |
| 分类号 | G03F1/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01);C30B1/02(2006.01);C30B29/06(2006.01) | 主分类号 | G03F1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种激光结晶用的光掩模图案结构，形成在基板上，其中该激光结晶用的光掩模图案结构至少包括：光栅，具有相对的第一侧边和第二侧边，及具有相对的第三侧边和第四侧边，其中该第三侧边和该第四侧边分别位于该第一侧边与该第二侧边之间；第一连续波状结构，形成在该第一侧边上；以及第二连续波状结构，形成在该第二侧边上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||