半导体装置及其制作方法

摘要

本发明的目标是提供一种在降低由于短沟道效应而产生的泄漏电流方面比较优越的半导体装置及其制作方法。在将场效应晶体管形成在单晶半导体衬底上的过程中，引入杂质以形成扩展区并打破单晶晶格使扩展区成为非晶。可以替代的方案是，引入杂质和具有大原子质量数的元素以打破单晶晶格并使扩展区成为非晶。然后，发出1f s至10p s脉冲宽度、370至640nm波长的激光束，以选择性地激活非晶部分，从而使得扩展区形成的厚度为20nm或更小。

主权项

1.用于制作半导体装置的方法，包括：在半导体衬底上形成栅电极；通过将第一杂质选择性地引入距离栅电极一定距离的半导体衬底的区域中形成源区和漏区；通过将第二杂质引入包括栅电极和源区之间以及栅电极和漏区之间间隔的半导体衬底的区域中形成扩展区；使用具有1fs至10ps脉冲宽度、370至640nm波长的激光束照射至少所述扩展区。