发明名称 |
基于二维光子晶体的光二极管及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种基于二维平面薄膜光子晶体的光二极管及其制备方法。属于光二极管技术领域。该光二极管包括一二维光子晶体和一可实现频率转换的晶体,二维光子晶体和实现频率转换的晶体通过波导连接。实现频率转换的晶体可以是普通的非线性倍频晶体,也可以是另一个二维光子晶体。如果入射激光正向传输,则入射光首先在现频率转换的晶体中发生倍频效应,产生的二倍频光可通过波导进入光子晶体,如果入射光反向传输,则入射激光首先进入光子晶体,由于光子带隙的作用,入射激光被全部反射回来而不能通过光子晶体,由此实现单向导通的光二极管。本发明制备简单、使用和测量方便,易于集成。 |
申请公布号 |
CN1812211A |
申请公布日期 |
2006.08.02 |
申请号 |
CN200510002913.8 |
申请日期 |
2005.01.26 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
胡小永;龚旗煌 |
分类号 |
H01S3/00(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01S4/00(2006.01);G02F1/00(2006.01);G02F1/35(2006.01);G02B6/00(2006.01);H01L33/00(2006.01) |
主分类号 |
H01S3/00(2006.01) |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所 |
代理人 |
贾晓玲 |
主权项 |
1、一种基于二维光子晶体的光二极管,包括一二维光子晶体,二维光子晶体为一刻蚀有周期性分布空气孔的一层介电薄膜,其特征在于:还包括一可实现频率转换的晶体,二维光子晶体和实现频率转换的晶体通过波导连接。 |
地址 |
100871北京市海淀区颐和园路5号 |